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我国首批三维NAND闪存芯片年内量产

2018-04-12 10:32

我国拥有自主知识产权的三维NAND闪存芯片距离批量生产又进一步。4月11日上午,由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目,首套芯片生产机台进场安装。这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入生产准备阶段。年内,32层三维NAND闪存芯片将在中国光谷实现量产。

作为电子产品的制造大国和消费大国,中国通用存储器需求占全球产能的50%。三维NAND闪存芯片多用于手机、高性能服务器,目前全部依赖进口,市场话语权被三星、东芝、镁光等美、日、韩企业把控。紫光集团董事长赵伟国说,国家存储器基地项目是中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破,更是打破西方国家垄断的重要抓手。未来10年,紫光集团至少将投资1000亿美元,推进相关产业发展。

长江存储执行董事长高启全介绍,接下来2到3个月内,近3000套生产机台将陆续进场安装调试,7月底8月初具备试生产条件,年内预计可生产出5000片32层三维NAND闪存芯片。2019年,32层三维NAND闪存芯片产量将提升至每年10万片,当年底试产64层三维NAND闪存芯片。2020年,64层三维NAND闪存芯片产能将提升至每年10万片,并研发具有全球先进水平的128层三维NAND闪存芯片。

武汉市市长万勇表示,国家存储器基地机台搬入,是“中国芯”的一大步,也是“新武汉造”的一大步。期待“中国芯”在全球市场反响良好,期待基地第二、第三工厂尽早开工建设。

国家存储器基地项目2016年3月正式启动,分三期建设。至2020年,三期全部完工后,基地产能将达到每月30万片,年产值超过100亿美元,形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。

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